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用于间隔件和硬掩模应用的硼烷介导的从硅烷和烷基硅烷物质脱氢的工艺制造技术
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文档序号:20883151
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本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造,具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中,提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层;通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所述基...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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