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本发明公开了一种SRAM的存储单元结构，包括成对的上拉管、下拉管、选择管和辅助管即第五和第六NMOS管，选择管和辅助管都形成在第一有源区中，上拉管和下拉管分别形成在第二和第三有源区中，两辅助管的源区都连接第一辅助电极、漏区分别连接两个存储节...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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