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通过共振耦合实现电磁场增强的纳米结构，包括基底，在基底上设置有纳米光栅，在基底和纳米光栅上沉积有金属层，进而形成纳米缝隙，所述纳米光栅的周期为400nm～1000nm，光栅高度100nm～400nm，两条相邻光栅间的狭缝宽度为4nm～40n...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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