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本发明公开一种SnS2单相块体及其制备方法。方法包括步骤：以单质Sn和单质S为原料，将原料在真空环境下进行球磨，得到中间化合物粉末；将中间化合物粉末压实后进行放电等离子体烧结，得到SnS2单相块体。本发明的SnS2单相块体，通过机械合金化结...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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