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一种SnS2单相块体及其制备方法技术

技术编号:20854500 阅读:32 留言:0更新日期:2019-04-13 10:40
本发明专利技术公开一种SnS2单相块体及其制备方法。方法包括步骤:以单质Sn和单质S为原料,将原料在真空环境下进行球磨,得到中间化合物粉末;将中间化合物粉末压实后进行放电等离子体烧结,得到SnS2单相块体。本发明专利技术的SnS2单相块体,通过机械合金化结合放电等离子体烧结烧制而成。相比于现有的水热合成法,其工艺简单,操作简便,且略去提纯的步骤,降低了成本。另外,本发明专利技术的原料来源丰富且绿色环保无毒害,有利于可持续发展。

【技术实现步骤摘要】
一种SnS2单相块体及其制备方法
本专利技术涉及热电材料制备
,尤其涉及一种SnS2单相块体及其制备方法。
技术介绍
当前,化石能源短缺和环境污染问题凸显,能源的多元化和高效多级利用成为系统解决能源与环境问题的一个重要技术途径。热电转换技术作为一种绿色能源技术和环保型制冷技术受到工业界和学术界越来越广泛的关注。热电材料作为一种环境友好可再生的新能源材料,通过热电材料的塞贝克(Seebeck)效应和帕尔帖(Peltier)效应,可以实现热能和电能的直接转换,在缓解能源紧缺和环境污染两大方面有着非常广阔的应用前景。二维结构的SnS2材料作为一种新兴的热电材料,因其环境友好性,无毒性和原料易于获取的特点获得了广泛的关注,而且与其它热电材料相比,SnS2有较低的晶格热导率,有良好的热电应用前景。SnS2是CdI2结构,具有六边形的结构,硫原子紧密堆积形成两个层,锡原子夹在中间形成八面体结构。其层内原子之间主要通过共价键连接,而层与层之间的相互作用力是范德华力,是一种各向异性的材料。这种二维层状结构在某一方向上能够有效地降低晶格热导率,有良好的热电应用潜力。现有的二维纳米结构SnS2的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SnS2单相块体的制备方法,其特征在于,包括步骤:以单质Sn和单质S为原料,将原料在真空环境下进行球磨,得到中间化合物粉末;将中间化合物粉末压实后进行放电等离子体烧结,得到SnS2单相块体。

【技术特征摘要】
1.一种SnS2单相块体的制备方法,其特征在于,包括步骤:以单质Sn和单质S为原料,将原料在真空环境下进行球磨,得到中间化合物粉末;将中间化合物粉末压实后进行放电等离子体烧结,得到SnS2单相块体。2.根据权利要求1所述的SnS2单相块体的制备方法,其特征在于,所述单质Sn和单质S的摩尔比为1:2.4。3.根据权利要求1所述的SnS2单相块体的制备方法,其特征在于,将装有原料和磨球的球磨罐抽真空,然后将球磨罐安装于球磨机上进行球磨。4.根据权利要求1或3所述的SnS2单相块体的制备方法,其特征在于,所述球磨的球料质量比为20:1~50:1。5.根据权利要求3所述的SnS2单相块体的制备方法,其特征在于,所述磨球分别为直径为20mm、10mm、8mm的大、中、小不锈钢球,其中大球个数为1个,中球和小球质量比为...

【专利技术属性】
技术研发人员:李甫阮敏常毅
申请(专利权)人:深圳大学
类型:发明
国别省市:广东,44

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