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本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法。所述晶硅异质结太阳电池的结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。所述含钼氧硫的空穴引出层可以为MoO3‑xSx单层薄膜结构，...
该专利属于河北大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北大学授权不得商用。

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