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本发明提供了一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法，包括以下工艺流程：N型衬底片准备；Zero光刻、刻蚀形成光刻标记；BP光刻、BP注入，注入硼，去胶后做BP高温推阱，形成深BP阱；薄N型EPI生长；NW高能普注，注入磷；Pw光刻，...
该专利属于深圳市威兆半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体有限公司授权不得商用。

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