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本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用，属于薄膜应变计技术领域。利用磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成薄膜应变计。本发明通过控制磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，实现...
该专利属于大连交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连交通大学授权不得商用。

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