一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用制造技术

本发明专利技术涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用，属于薄膜应变计技术领域。利用磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成薄膜应变计。本发明专利技术通过控制磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，实现铟锡氧化物薄膜应变计在200℃以下的温度稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用
本专利技术涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用，属于薄膜应变计

技术介绍
薄膜应变计具有制备成本低、灵敏度高、响应时间短等优点。目前，薄膜应变计主要由金属类材料构成，如：Pt、Ni80Cr20、Ni45Cu55等，上述金属类薄膜应变计在可见光范围内均是不透明的，而在某些特殊领域，要求薄膜应变计在可见光范围内是透明的，如：太空望远镜的镜片表面、航天器的玻璃表面、太阳能电池板的表面等。铟锡氧化物薄膜材料是一类重要的透明导电材料，在光电转换领域有重要的应用，如：太阳能电池透明电极、平板显示器透明电极、光电传感器透明电极等。近年来，将透明导电铟锡氧化物薄膜材料作为透明薄膜应变计的研究，越来越引起人们的关注。透明铟锡氧化物薄膜材料在作为透明薄膜应变计应用时，其服役环境一般是变温环境，如：室温至200℃，因此，铟锡氧化物薄膜应变计在低于200℃时，应具有温度稳定性，即，在经过多次升温降温循环过程后，铟锡氧化物薄膜应变计的电学性质仍保持不变。然而，普通铟锡氧化物薄膜应变计在变温环境服役过程中，尤其在＞1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用，其特征在于：利用磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成薄膜应变计。

【技术特征摘要】
1.一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在薄膜应变计上的应用，其特征在于：利用磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成薄膜应变计。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述薄膜应变计的厚度为≥300nm。3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述铟锡氧化物的纯度为99.99％，其中：三氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁万昱，孙浩庭，陈卫超，刘远兵，
申请(专利权)人：大连交通大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21