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本发明提供了一种在（001）晶面择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列的方法。该方法包括以下步骤：1)制备Cr掺杂二氧化钛薄膜作为籽晶层；2)将步骤1)制得的Cr掺杂二氧化钛薄膜籽晶层置于生长液中，经水热生长，得到所述择优取向生长的金红石...
该专利属于工业和信息化部电子第五研究所华东分所所有，仅供学习研究参考，未经过工业和信息化部电子第五研究所华东分所授权不得商用。

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