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本发明涉及高浪涌瞬变电压抑制器。其中，一种双向瞬态电压抑制器配置成一个NPN双极晶体管，引入优化的集电极‑基极结，实现了雪崩模式击穿。在某些实施例中，双向瞬变电压抑制器配置成一个NPN双极晶体管，引入单独优化的集电极‑基极和发射极‑基极结，...
该专利属于万国半导体（开曼）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体（开曼）股份有限公司授权不得商用。

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