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本发明提供了一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法，用于聚焦离子束机台，衬底放置于聚焦离子束机台的样品台上，样品台接地，衬底具有导电性，衬底上覆盖有绝缘层，缺陷位于绝缘层上，通过在绝缘层上横向距离缺陷5～10μm处制备一沟槽，并形成导电层以填充...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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