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本发明公开了一种自对准双层图形的形成方法，包括：提供依次形成有目标薄膜、刻蚀停止薄膜和核心图形薄膜的半导体衬底，通过在所述核心图形薄膜上形成硬质掩膜薄膜，通过光刻形成图案化的硬质掩膜层，对图案化的硬质掩膜层进行缩减处理，使得图案化的硬质掩膜...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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