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本发明涉及一种利用复合金属模板制备阵点厚度不同石墨烯阵列的方法，该方法用掩模版在铜箔上镀金属镍阵列(或在镍箔上镀金属铜阵列)，然后高温加热使其表面变成铜镍合金阵列，然后在CVD工艺的生长温度下，通入碳源，降温时在复合金属薄膜表面生长出石墨烯...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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