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本实用新型公开了一种真空溅射镀膜设备，其特征在于，包括密闭腔体，所述密闭腔体内设有基板及安装所述基板的托盘，还包括位于基板上方的靶材，所述靶材内设有提供磁场的永磁铁，所述靶材将靶材材料沉积在基板上的沉积范围为溅射范围，所述靶材的数量大于等于...
该专利属于爱发科真空技术（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱发科真空技术（苏州）有限公司授权不得商用。

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