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本发明涉及一种半导体装置，具备半导体基板和配设于其上的半导体层，半导体层具有以从与半导体基板相反侧的主面朝向半导体基板延伸至预先决定的深度的方式设置的第一导电类型的第一柱层和第二导电类型的第二柱层，第一柱层和第二柱层在半导体层的活性区域和作...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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