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本发明用于抑制半导体集成电路中的露电流，其中，多个半导体基板通过硅贯通孔层叠。在硅基板中注入P型杂质和N型杂质中的一者，直至达到预定浓度。在多个沟道中，在一个硅基板表面中注入P型杂质和N型杂质中的另一者，直至达到高于所述预定浓度的浓度。电极...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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