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本发明公开了基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法。提供了设置有III/V族半导体区域的电子电路以及运行这种电路的方法。具体地，本申请涉及基于氮化镓(GaN)半导体的电子电路。必须以确保在广泛的GaN参数变化范围内的适当工作的方式来...
该专利属于戴洛格半导体（英国）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过戴洛格半导体（英国）有限公司授权不得商用。

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