基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法技术

本发明专利技术公开了基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法。提供了设置有III/V族半导体区域的电子电路以及运行这种电路的方法。具体地，本申请涉及基于氮化镓(GaN)半导体的电子电路。必须以确保在广泛的GaN参数变化范围内的适当工作的方式来控制GaN部件。存在包括耦合到第二区域的第一区域的电路，第一区域基于III/V族半导体；其中，第一区域包括第一部件和第二部件。第二部件代表第一部件的电特性。第二区域包含适于感测第二部件的电气参量的传感器以及耦合到传感器的输入发生器。输入发生器适于基于电气参量向第一区域提供至少一个输入。

【技术实现步骤摘要】
基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法
本公开涉及设置有III/V族半导体区域的电子电路以及运行这种电路的方法。具体地，本申请涉及基于氮化镓半导体的电子电路。背景基于诸如氮化镓(GaN)二极管和GaNN沟道晶体管的III/V族半导体的半导体部件具有许多有益的性质。例如，与硅基对应物相比，GaN晶体管具有相对低的导通电阻并且可以达到更高的开关速度。正因如此，GaN部件非常适合开关变换器和高压电源电路的设计。然而，GaN部件的特性(诸如，二极管的正向电压或晶体管的阈值电压)可能在一定的温度范围和工艺上显著地变化。例如，从不同半导体晶圆或从不同管芯获得的各个部件的特性可能显著不同。在由同一晶圆产生的两个管芯之间，GaN部件(也称作GaN器件)的特性可以变化约30％。这使精确的GaN电压参考的实现变得非常复杂。因此，必须以确保在广泛的GaN参数变化范围内的适当工作的方式来控制GaN部件。实际上，这意味着：为了确保在晶体管的饱和区中工作，GaN晶体管的栅极电压被过度激励(通常是在6V的区域中)。采用高栅极电压驱动GaN晶体管可以导致GaN晶体管严重退化和过应力。这也降低了工作效率并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路，包括耦合到第二区域的第一区域，所述第一区域基于III/V族半导体；其中，所述第一区域包括第一部件和第二部件，所述第二部件表示所述第一部件的电特性；并且其中，所述第二区域包括适于感测所述第二部件的电气参量的传感器；以及耦合到所述传感器的输入发生器，所述输入发生器适于向所述第一区域提供至少一个输入，其中，所述至少一个输入基于所述电气参量。

【技术特征摘要】
2017.09.25 US 15/714,2511.一种电路，包括耦合到第二区域的第一区域，所述第一区域基于III/V族半导体；其中，所述第一区域包括第一部件和第二部件，所述第二部件表示所述第一部件的电特性；并且其中，所述第二区域包括适于感测所述第二部件的电气参量的传感器；以及耦合到所述传感器的输入发生器，所述输入发生器适于向所述第一区域提供至少一个输入，其中，所述至少一个输入基于所述电气参量。2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第二区域基于硅。3.根据权利要求1或2所述的电路，其中，所述第二部件是与所述第一部件类型相同的部件。4.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述第二部件是尺寸比所述第一部件小的部件。5.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述输入发生器包括电压源和信号发生器中的至少一项。6.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述第一部件包括二极管，并且其中，所述至少一个输入包括电压输入。7.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述第一部件包括电源开关，所述电路包括并联耦合到所述电源开关的晶体管和用于驱动所述晶体管的驱动器，其中，所述至少一个输入包括用于控制所述驱动器的控制信号。8.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述电气参量包括电压和电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫·N·纳格尔，雷伯加·杰拉卡，霍斯特·克内德根，
申请(专利权)人：戴洛格半导体英国有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB