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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第三区和第三区两侧第一区和第二区，基底上具有伪栅极膜和掩膜材料层；去除第一区和部分第三区掩膜材料层，在第一区形成第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜，在第一区形成第一伪栅极层；去除第二区和部分第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。