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本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅衬底回收方法、碳化硅衬底及回收系统。其中，所述回收方法通过采用化学腐蚀及物理研磨相结合的方式对外延片进行处理，可以快速有效的去除外延片上的外延层，获得表面平整光滑的碳化硅衬底。再...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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