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非易失性存储器装置及其读出方法制造方法及图纸
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文档序号:20748032
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一种非易失性存储器装置包括多电平单元。所述非易失性存储器装置的读出方法包括:在第一预充电间隔期间,对位线和感测输出节点进行预充电;通过在第一发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第一电压电平来识别所选择的存储器单元的第一...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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