下载基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法的技术资料

文档序号:20728540

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本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法,其特征在于,包括:压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极;所述压电栅自下而上依次包括:下表面电极、压电薄膜或铁电驻极...
该专利属于福州大学所有,仅供学习研究参考,未经过福州大学授权不得商用。

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