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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一具有高压器件区和低压器件区的衬底；刻蚀去除所述高压器件区上的部分厚度的衬底，以在所述高压器件区中形成第一沟槽；形成第一栅氧层于所述第一沟槽中；形成浅沟槽隔离结构于所...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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