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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：第一晶圆，具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一导电层；第二晶圆，具有朝向所述第一键合面设置的第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二导电层；粘合层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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