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本发明涉及一种半导体器件栅极高度平坦化方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：在所述有源区上形成多晶硅栅，然后进行组件增强工艺，其中，所述多晶硅栅由多晶硅、位于多晶硅上的多晶硅栅掩模层以及侧墙共同构成；在所述多晶硅栅的表面形成硬质掩模层，然...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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