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本发明提供一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法。所述的方法是对六方碳化硅衬底的表面进行预处理和热处理，然后生长氧化镓薄膜；预处理方法包括微波等离子清洗。本发明还提出所述方法制备得到的氧化镓薄膜。本发明通过使用碳化硅衬底，解决了以往使用...
该专利属于北京镓族科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镓族科技有限公司授权不得商用。

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