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本实用新型公开了一种外延复合栅结构功率器件，涉及半导体技术领域，该功率器件在传统功率器件的基础上采用了外延本征硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化硅和半绝缘多晶硅构成的多层复合栅结构，沟道的不同位置用不同结构栅极，通过创新的结构设计和材料匹配降低了器...
该专利属于江苏丽隽功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏丽隽功率半导体有限公司授权不得商用。

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