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本发明公开了一种具有Ni‑Mo合金势垒层的N‑PbTe温差电单体及其制备方法，在N‑PbTe温差电单体的两端复合有Ni‑Mo合金势垒层，Ni‑Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。以N‑PbTe温差电单体为基...该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种具有Ni‑Mo合金势垒层的N‑PbTe温差电单体及其制备方法，在N‑PbTe温差电单体的两端复合有Ni‑Mo合金势垒层，Ni‑Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。以N‑PbTe温差电单体为基...