具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有Ni‑Mo合金势垒层的N‑PbTe温差电单体及其制备方法，在N‑PbTe温差电单体的两端复合有Ni‑Mo合金势垒层，Ni‑Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。以N‑PbTe温差电单体为基体材料，首先脉冲电镀，选择矩形波形，通断比为1：9，电流调节分别为0.005～0.015A，电镀时间为5～15min；再进行直流电镀，电流调节为0.1～0.2A，电镀时间为2～6min；最后再进行一次脉冲电镀，过程和条件与前次脉冲电镀相同。本发明专利技术势垒层中少量金属Mo的引入，可有效抑制界面势垒层高温氧化，同时对提升元件单体的抗高温蠕变性能做出贡献。

【技术实现步骤摘要】
具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体及其制备方法
本专利技术属于温差发电
，特别是涉及一种具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体及其制备方法。
技术介绍
N-PbTe温差电材料是一种中性能优异的N型中温温差电材料，主要用于制作温差电池(器件)的热-电换能单体。其能量转换原理为：由一个N型温差电元件和一个P型温差电元件组成的回路，当温差电偶对两接头有温差时，回路中就会产生电流。根据上述工作原理，单体与导电电极之间存在集成界面。如不在温差电单体端面制作界面势垒层，集成过程中可能对单体产生污染，减低集成界面质量，进而影响电池性能和可靠性。根据公开的技术文献资料报道，现今N-PbTe基材料用势垒层多为均质Ni材料。PbTe长期较高温度(500℃)工作，Ni极易氧化，进而影响集成质量，导致接触电阻增大，进而影响器件电性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体及其制备方法，从N-PbTe材料的成分和自身特性出发，提出了一种全新的Ni-Mo合金势垒层。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有Ni‑Mo合金势垒层的N‑PbTe温差电单体，其特征在于，在N‑PbTe温差电单体的两端复合有Ni‑Mo合金势垒层，Ni‑Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。

【技术特征摘要】
1.一种具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体，其特征在于，在N-PbTe温差电单体的两端复合有Ni-Mo合金势垒层，Ni-Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。2.根据权利要求1所述具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体，其特征在于，所述N-PbTe温差电单体主成分为PbTe，并掺杂0.03％～0.05％质量的PbI2、2％～5％质量的Mo。3.如权利要求1或2所述具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体的制备方法，其特征在于，以N-PbTe温差电单体为基体材料，首先脉冲电镀，选择矩形波形，通断比为1：9...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽丽，任保国，王泽深，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12