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本实用新型提供了一种集成电路存储器的晶体管组合结构及半导体集成电路器件。通过在沟道区的衬底中形成相对于沟道区的第一顶表面凹陷的第一缺口，以增加沟道区与字线交界的有效面积。因此，在由有源区和字线构成的存储晶体管导通时，即可使所形成的导电沟道相...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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