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抗双节点翻转的D锁存器，属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了现有的锁存器所需硬件多、面积大、功耗高、传播延时时间长、抗双节点翻转的能力差以及无法实现对双节点翻转的容错的问题。本发明包括20个NMOS晶体管N1至N20、12个PMOS晶...
该专利属于中北大学;齐齐哈尔大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学;齐齐哈尔大学授权不得商用。

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