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本发明涉及太阳电池制备技术领域，尤其是一种新型的局域接触钝化的P型晶硅太阳电池及其制备方法；包括衬底，衬底采用P型单晶硅片，电池的正面包含发射极，发射极为pn结区，以及局域接触钝化的隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅区；所述局域接触钝化的隧穿氧化硅...
该专利属于东方日升（常州）新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方日升（常州）新能源有限公司授权不得商用。

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