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本发明涉及形成垂直场效应晶体管的方法以及所得结构，其揭露一种形成包含(例如，在VFET阵列中的)多个垂直场效应晶体管的集成电路的方法。在该方法中，基本同时形成各对VFET的自对准栅极以及接触这些自对准栅极的自对准栅极延伸区，以使该栅极环绕一...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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