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一种3D NAND存储器及其形成方法，其中所述3D NAND存储器的形成方法，在形成堆叠结构后，无需先将堆叠结构的外围区域通过多次掩膜和刻蚀工艺形成台阶区，可以直接在外围区上的堆叠结构中形成若干接触通孔，极大的简化了制作工艺，降低了制作成本...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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