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本发明公开了一种栅极结构的制造方法，包括步骤：步骤一、依次形成包括高介电常数层栅介质层、多晶硅层和第一氮化硅层；步骤二、进行光刻刻蚀形成栅极结构；步骤三、形成防止高介电常数层对外部产生污染的保护层；步骤四、形成氧化硅侧墙和氮化硅侧墙；步骤五...
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