温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法、存储器。通过形成一尺寸较大的凹槽，并利用第二介质层部分填充凹槽，从而在凹槽和第二介质层的共同限定下构成一尺寸较小的接触窗。即，本发明提供的形成方法中，由于所形成的凹槽的尺寸较大，因此其制备难度也较低，...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。