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一种表面局部浸润性可控基底及其应用制造技术
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文档序号:20670908
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本发明提供了一种表面局部浸润性可控基底,利用该基底可构建三维细胞共培养模型,所述表面局部浸润性可控基底包含超疏水的惰性表面和在所述惰性表面上的图案化电极,且该图案化电极的表面浸润性可控,控制表面浸润性的方法是首先通过微加工等方法制备出图案化...
该专利属于中山大学所有,仅供学习研究参考,未经过中山大学授权不得商用。
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