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本发明公开一种具有字符线的半导体结构及其制作方法，具有字符线的半导体结构包含一基底包含一存储器区和一周边元件区，一第一沟槽和一第二沟槽设置于存储器区，一第三沟槽设置于周边元件区内，第一沟槽的宽度最小，第二沟槽的宽度次之，第三沟槽的宽度最大，...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。