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一种半导体装置，包括：绝缘体，在衬底上，并具有相对的第一侧和第二侧，第一侧和第二侧中的每一个沿第一方向延伸；第一鳍图案，从绝缘体的第三侧沿第一方向延伸；第二鳍图案，从绝缘体的第四侧沿第一方向延伸；以及第一栅极结构，从绝缘体的第一侧沿横向于第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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