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用于GaN基底应用的磷属元素化物缓冲结构和器件制造技术
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下载用于GaN基底应用的磷属元素化物缓冲结构和器件的技术资料
文档序号:20596601
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一种结构可包括具有第一晶格常数的III‑N层、在III‑N层上外延生长的具有第二晶格常数的第一稀土磷属元素化物层、在所述第一稀土磷属元素化物层上外延生长的具有第三晶格常数的第二稀土磷属元素化物层和在所述第二稀土磷属元素化物层上外延生长的具有...
该专利属于IQE公司所有,仅供学习研究参考,未经过IQE公司授权不得商用。
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