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本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管，包括阴极金属层，设置在阴极金属层上的N+型衬底，设置在N+型衬底上的N‑型外延层，设置在N‑型外延层内且与N‑型外延层上表面平齐的P型区，设置在N‑型外延层上的复合金属层，设置在复合金属层上的金属加厚层和...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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