温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及具有介电隔离的多鳍高度，揭示一种形成有不同鳍高度且与底下半导体衬底介电隔离的半导体鳍片的方法。通过蚀刻设置于衬底上面的活性外延层可形成所述鳍片。中介牺牲外延层可用来模塑活性外延层的成长，然后移除它且用隔离介电层回填。该隔离介电层可...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。