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本发明提供一种能够改善低导通电阻化和抑制栅极阈值电压降低的均衡的半导体装置。在n型电流扩散区(3)的内部，设置覆盖沟槽(栅极沟槽)(7)的底面的第一p...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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