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公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括：衬底；设置在衬底上的电极结构，包括交替堆叠的多个第一电极层和多个第二电极层；穿透电极结构的多个竖直有源区；设置在竖直有源区与电极结构中的各第一电极层之间...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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