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本发明公开了一种MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面的第二导电类型阱的表面形成栅极结构；步骤二、进行轻掺杂漏站点工艺，包括如下分步骤：步骤21、进行非结晶离子注入；步骤22、进行两次以上的碳离子注入，调节各次碳离子注入...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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