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主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件及其形成工艺制造技术
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下载主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件及其形成工艺的技术资料
文档序号:20567972
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本发明公开了一种主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件。该半导体器件包括衬底;衬底上的半导体堆叠体;各自设置在半导体堆叠体上的栅极、源极和漏极,其中栅极包含镍(Ni);覆盖半导体堆叠体的表面的Si化合物;覆盖从Si化合物中露出的栅极的氧化铝...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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