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本文描述用于形成具有改进的抗迁移性质的铜种晶层的方法。在一个实施方式中，一种方法包括：在特征中形成第一铜层；在特征中的第一铜层上形成钌层，和在特征中的钌层上形成第二铜层。钌层实质上将在其下方的铜层锁定在特征中的适当位置中，从而防止其大量的物...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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