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本发明公开了一种相变纳米颗粒镶嵌的氮化物忆阻器及其制备方法，忆阻器包括依次设置的底电极、介质层和顶电极，介质层为设置在底电极一面上的掺杂有过渡金属的氮化物或氮氧化物薄膜。其制备方法包括如下步骤：在基片上沉积惰性金属作为底电极；在底电极上沉积...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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