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半导体元件及其制造方法技术
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文档序号:20519221
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本发明公开一种半导体元件及其制造方法,该半导体元件包含:一基板,包含一基部及与该基部相接的多个特征部;一第一缓冲结构设于该基部上,且与该些特征部之间具有至少一距离;以及一半导体叠层设于该第一缓冲结构及该些特征部上。...
该专利属于晶元光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶元光电股份有限公司授权不得商用。
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